器件3D模型

￥ 0.316

SI4435DYTRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

INFINEON SI4435DYTRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.015 ohm, 10 V, -1 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4435DYTRPBF 数据手册 (5 页)

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SI4435DYTRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

-30.0 V

额定电流

-8.00 A

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.035 Ω

极性

P-Channel

功耗

2.5 W

零部件系列

SI4435DY

输入电容

2320 pF

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

-8.00 A

上升时间

76 ns

输入电容值(Ciss)

2320pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

90 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

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SI4435DYTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SI4435DYTRPBF 符合标准

SI4435DYTRPBF 海关信息

SI4435DYTRPBF 概述

SI4435DYTRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.07 MByte

SI4435DYTRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

SI4435DYTRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.31 MByte

SI4435DYTRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

SI4435DYTRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

SI4435DYTRPBF 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

SI4435DYTRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.14 MByte

SI4435DYTRPBF 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

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INFINEON SI4435DYPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 8 A, -30 V, 0.015 ohm, -10 V, -1 V

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