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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SI4599DY-T1-GE3 Datasheet 文档
SI4599DY-T1-GE3
器件3D模型
2.006
SI4599DY-T1-GE3 数据手册 (15 页)
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SI4599DY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
漏源极电压(Vds)
40 V
输入电容值(Ciss)
640pF @20V(Vds)

SI4599DY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI4599DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
15 页 / 0.3 MByte
Vishay Siliconix
14 页 / 0.23 MByte

SI4599DYT1 数据手册

VISHAY(威世)
N和P通道40 - V(D -S)的MOSFET N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4599DY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.8 A, 40 V, 29.5 mohm, 10 V, 1.4 V
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