器件3D模型

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SI5441DC-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

1206

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI5441DC-T1-GE3 数据手册 (5 页)

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SI5441DC-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装(公制)

3216

封装

1206

功耗

1.3W (Ta)

漏源极电压(Vds)

20 V

耗散功率(Max)

1.3W (Ta)

SI5441DC-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.2 mm

宽度

1.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI5441DC-T1-GE3 符合标准

SI5441DC-T1-GE3 概述

SI5441DC-T1-GE3 数据手册

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5 页 / 0.11 MByte

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