￥ 0.627

SI7121DN-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

1212-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI7121DN-T1-GE3 数据手册 (13 页)

封装尺寸在7 页 8 页 9 页

SI7121DN-T1-GE3 数据手册 (13 页)

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SI7121DN-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

1212-8

漏源极电阻

0.015 Ω

极性

P-Channel

功耗

52 W

漏源极电压(Vds)

-30.0 V

连续漏极电流(Ids)

-16.0 A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

1960pF @15V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

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SI7121DN-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Design

包装方式

Cut Tape (CT)

工作温度

-50℃ ~ 150℃ (TJ)

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SI7121DN-T1-GE3 符合标准

SI7121DN-T1-GE3 数据手册

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