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SI9936BDY-T1-GE3
0.998
SI9936BDY-T1-GE3 数据手册 (6 页)
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SI9936BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
漏源极电阻
52 mΩ
功耗
2 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V

SI9936BDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology
6 页 / 0.1 MByte

SI9936BDYT1 数据手册

VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI9936BDY-T1-GE3  场效应管阵列, MOSFET, 双N沟道
VISHAY(威世)
双N通道30 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Intertechnology
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