器件3D模型

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SI9936BDY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

SOIC

描述:

双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI9936BDY-T1-GE3 数据手册 (6 页)

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SI9936BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOIC

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

4.5A

额定功率(Max)

1.1 W

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SI9936BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SI9936BDY-T1-GE3 符合标准

SI9936BDY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

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