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SM6T36CAY
0.156
SM6T36CAY 数据手册 (15 页)
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SM6T36CAY 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
封装
DO-214AA
额定功率
600 W
击穿电压
34.2 V
电路数
1 Circuit
针脚数
2 Position
功耗
600 W
钳位电压
64.3 V
最大反向电压(Vrrm)
30.8V
测试电流
1 mA
最大反向击穿电压
37.8 V
脉冲峰值功率
600 W
最小反向击穿电压
34.2 V
击穿电压
34.2 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温
-55℃ ~ 150℃

SM6T36CAY 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
4.6 mm
宽度
3.95 mm
高度
2.45 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SM6T36CAY 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.64 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.28 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte

SM6T36 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  SM6T36A  TVS二极管, TVS, Transil SM6T系列, 单向, 30.8 V, 64.3 V, DO-214AA, 2 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  SM6T36CA  TVS二极管, TVS, Transil SM6T系列, 双向, 30.8 V, 64.3 V, DO-214AA, 2 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  SM6T36CAY  TVS二极管, AEC-Q331, Transil SM6T系列, 双向, 30.8 V, 64.3 V, DO-214AA, 2 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  SM6T36AY  TVS二极管, AEC-Q330, Transil SM6T系列, 单向, 30.8 V, 64.3 V, DO-214AA, 2 引脚
VISHAY(威世)
TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W,Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA (SMBJ) 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻,带增量浪涌### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 600W,SM6T 系列,Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SM6T36A-E3/52  TVS二极管, TVS, Transil SM6T系列, 单向, 30.8 V, 64.3 V, SMD, 2 引脚
Vishay Semiconductor(威世)
TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W,Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA (SMBJ) 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻,带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 36V 5% Bi
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