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SPB18P06P 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SPB18P06P 数据手册 (8 页)

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SPB18P06P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-18.6 A

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

极性

P-CH

功耗

81.1W (Ta)

输入电容

860 pF

栅电荷

33.0 nC

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

18.6 A

输入电容值(Ciss)

860pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

81.1 W

耗散功率(Max)

81.1W (Ta)

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SPB18P06P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

宽度

9.25 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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SPB18P06P 符合标准

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