￥ 0.717

SPU04N60C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

INFINEON SPU04N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SPU04N60C3 数据手册 (13 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SPU04N60C3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

650 V

额定电流

4.50 A

封装

TO-251-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.85 Ω

极性

N-Channel

功耗

50 W

阈值电压

3 V

输入电容

490 pF

栅电荷

25.0 nC

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

4.50 A

上升时间

2.5 ns

输入电容值(Ciss)

490pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

50 W

下降时间

9.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

50W (Tc)

查看数据手册 >

SPU04N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended

包装方式

Tube

宽度

6.22 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

SPU04N60C3 符合标准

SPU04N60C3 海关信息

SPU04N60C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

13 页 / 0.82 MByte

SPU04N60 数据手册

SPU04N60C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON SPU04N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V

SPU04N60C3BKMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON SPU04N60C3BKMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V

SPU04N60S5 数据手册

Infineon（英飞凌）

酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor

SPU04N60S5BKMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

SPU04N60C3XK 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号