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FDG330P
器件3D模型
0.34
FDG330P 数据手册 (5 页)
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FDG330P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
-12.0 V
额定电流
-2.00 A
封装
SC-70-6
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.084 Ω
极性
P-Channel
功耗
750 mW
输入电容
477 pF
栅电荷
5.00 nC
漏源极电压(Vds)
12 V
漏源击穿电压
-200 V
栅源击穿电压
±8.00 V
连续漏极电流(Ids)
2.00 A
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
477pF @6V(Vds)
额定功率(Max)
480 mW
下降时间
18 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
750mW (Ta)

FDG330P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDG330P 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.14 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.24 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.14 MByte

FDG330 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG330P  晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -12 V, 0.084 ohm, -4.5 V, -700 mV
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG330P, 2 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
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