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SPD30P06P G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON SPD30P06P G 晶体管, MOSFET, P沟道, -30 A, -60 V, 0.069 ohm, -10 V, -3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SPD30P06P G 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

SPD30P06P G 数据手册 (10 页)

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SPD30P06P G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.069 Ω

极性

P-Channel

功耗

125 W

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

1535pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

125 W

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

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SPD30P06P G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.41 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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SPD30P06P G 符合标准

SPD30P06P G 海关信息

SPD30P06P G 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.48 MByte

SPD30P06P G 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

SPD30P06P G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

SPD30P06P G 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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