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SPP06N80C3
0.814
SPP06N80C3 数据手册 (10 页)
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SPP06N80C3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
800 V
额定电流
6.00 A
封装
TO-220-3
额定功率
83 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.78 Ω
极性
N-Channel
功耗
83 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
800 V
漏源击穿电压
800 V
连续漏极电流(Ids)
6.00 A
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
785pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
83 W
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
83W (Tc)

SPP06N80C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SPP06N80C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.43 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 1.03 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.15 MByte

SPP06N80 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPP06N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPP06N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
酷MOS功率晶体管 Cool MOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
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