￥ 9.701

SPP20N65C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

650V,20.7A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SPP20N65C3 数据手册 (15 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SPP20N65C3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

650 V

额定电流

20.7 A

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

190 mΩ

极性

N-Channel

功耗

208 W

输入电容

2.40 nF

栅电荷

114 nC

漏源极电压(Vds)

650 V

漏源击穿电压

650 V

连续漏极电流(Ids)

20.7 A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

2400pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

208 W

下降时间

4.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

查看数据手册 >

SPP20N65C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

SPP20N65C3 符合标准

SPP20N65C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 1.89 MByte

SPP20N65C3 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

SPP20N65C3 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

38 页 / 0.73 MByte

SPP20N65C3 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

SPP20N65 数据手册

SPP20N65C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

650V,20.7A,N沟道功率MOSFET

SPP20N65C3XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V

SPP20N65C3HKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

SPP20N65C3XKSA 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号