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APT60N60BCSG
14.323
APT60N60BCSG 数据手册 (1 页)
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APT60N60BCSG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
60.0 A
封装
TO-247-3
漏源极电阻
45 mΩ
功耗
431 W
阈值电压
3 V
输入电容
7.20 nF
栅电荷
190 nC
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
60.0 A
上升时间
20 ns
输入电容值(Ciss)
7200pF @25V(Vds)
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
431W (Tc)

APT60N60BCSG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
21.46 mm
宽度
16.26 mm
高度
5.31 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

APT60N60BCSG 数据手册

Microsemi(美高森美)
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Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.2 MByte
Microsemi(美高森美)
40 页 / 4.07 MByte

APT60N60 数据手册

Microsemi(美高森美)
超级结MOSFET Super Junction MOSFET
Microsemi(美高森美)
超级结MOSFET Super Junction MOSFET
Microsemi(美高森美)
Microchip(微芯)
N沟道 600V 60A
Microchip(微芯)
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