SSM3K7002BFU 数据手册 - Toshiba（东芝）

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | ±20V 最大漏极电流Id Drain Current | 200mA/0.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 3.3Ω ID=100 mA,VGS=4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1.5~3.1V 耗散功率Pd Power Dissipation | 150mW/0.15W Description & Applications | TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSⅣ) .

● High-Speed Switching Applications .

● Analog Switch Applications.

● Small package .

● Low ON-resistance : RDS(ON) = 3.3 Ω (max) (@VGS = 4.5 V) . : RDS(ON) = 2.6 Ω (max) (@VGS = 5 V) . : RDS(ON) = 2.1 Ω (max) (@VGS = 10 V) . 描述与应用 | 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（U-MOSⅣ）。

●高速开关应用。

●模拟开关应用。

●小型封装。

●低导通电阻RDS（ON）= 3.3Ω（最大）（@ VGS=4.5 V）。 RDS（ON）=2.6Ω（最大值）（@ VGS= 5 V）。 RDS（ON）=2.1Ω​​（最大值）（@ VGS=10 V）。