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STB160N75F3
2.472
STB160N75F3 数据手册 (16 页)
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STB160N75F3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
极性
N-Channel
功耗
330 W
漏源极电压(Vds)
75 V
连续漏极电流(Ids)
60.0 A
上升时间
65 ns
输入电容值(Ciss)
6750pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
330 W
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
330W (Tc)

STB160N75F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.75 mm
宽度
10.4 mm
高度
4.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STB160N75F3 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.37 MByte

STB160N75 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道75V - 3.5mΩ - 120A - TO- 220 - TO- 247 - D2PAK的STripFET ?功率MOSFET N-channel 75V - 3.5mΩ - 120A - TO-220 - TO-247 - D2PAK STripFET? Power MOSFET
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