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STB18N65M5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB18N65M5 数据手册 (18 页)

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STB18N65M5 数据手册 (18 页)

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STB18N65M5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

198 mΩ

功耗

110 W

阈值电压

4 V

输入电容

1240 pF

漏源极电压(Vds)

650 V

漏源击穿电压

650 V

上升时间

7 ns

输入电容值(Ciss)

1240pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

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STB18N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.4 mm

宽度

9.35 mm

高度

4.6 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STB18N65M5 符合标准

STB18N65M5 海关信息

STB18N65M5 概述