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APT100GT120JU2
21.962
APT100GT120JU2 数据手册 (7 页)
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APT100GT120JU2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Screw
引脚数
4 Pin
封装
SOT-227
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
输入电容值(Cies)
7.2nF @25V
额定功率(Max)
480 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
480000 mW

APT100GT120JU2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

APT100GT120JU2 数据手册

Microsemi(美高森美)
7 页 / 0.37 MByte
Microsemi(美高森美)
8 页 / 0.55 MByte
Microsemi(美高森美)
13 页 / 0.91 MByte
Microsemi(美高森美)
1 页 / 0.13 MByte

APT100GT120 数据手册

Microsemi(美高森美)
迅雷IGBT Thunderbolt IGBT
Microsemi(美高森美)
ISOTOP升压斩波沟道+场截止IGBT ISOTOP Boost chopper Trench + Field Stop IGBT
Microsemi(美高森美)
ISOTOP降压斩波沟道IGBT ISOTOP Buck chopper Trench IGBT
Microsemi(美高森美)
迅雷IGBT Thunderbolt IGBT
Microsemi(美高森美)
谐振模式的IGBT Resonant Mode IGBT
Microchip(微芯)
Microchip(微芯)
Microchip(微芯)
Microchip(微芯)
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