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STB21N90K5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道900 V， 0.25 I© （典型值）， 18.5齐纳保护SuperMESHâ ??在D2PAK ， TO- 220FP ， TO- 220和TO- 247封装¢ 5功率MOSFET N-channel 900 V, 0.25 Î© typ., 18.5 A Zener-protected SuperMESHâ¢ 5 Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB21N90K5 数据手册 (22 页)

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STB21N90K5 数据手册 (22 页)

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STB21N90K5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

极性

N-CH

功耗

250 W

输入电容

1645 pF

漏源极电压(Vds)

900 V

连续漏极电流(Ids)

18.5A

上升时间

27 ns

输入电容值(Ciss)

1645pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

250 W

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250W (Tc)

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STB21N90K5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB21N90K5 符合标准

STB21N90K5 海关信息