￥ 1.912

STB33N65M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STB33N65M2 数据手册 (24 页)

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STB33N65M2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

117 mΩ

极性

N-CH

功耗

190 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

650 V

漏源击穿电压

650 V

连续漏极电流(Ids)

24A

上升时间

11.5 ns

输入电容值(Ciss)

1790pF @100V(Vds)

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

190W (Tc)

STB33N65M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.4 mm

宽度

9.35 mm

高度

4.6 mm

工作温度

150℃ (TJ)

STB33N65M2 符合标准

STB33N65M2 概述