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ZVN4424GTA
0.204
ZVN4424GTA 数据手册 (6 页)
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ZVN4424GTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
240 V
额定电流
500 mA
封装
TO-261-4
针脚数
4 Position
漏源极电阻
4 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
阈值电压
1.3 V
输入电容
110 pF
漏源极电压(Vds)
240 V
漏源击穿电压
240 V
栅源击穿电压
±40.0 V
连续漏极电流(Ids)
500 mA
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
16 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

ZVN4424GTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
1.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZVN4424GTA 数据手册

Diodes(美台)
6 页 / 0.7 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
6 页 / 0.69 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.15 MByte

ZVN4424 数据手册

Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 240 V, 4 ohm, 10 V, 1.3 V
Diodes(美台)
ZVN4424A 袋装
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 240 V, 6 ohm, 10 V, 1.3 V
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZVN4424G  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 240 V, 6 ohm, 10 V, 1.3 V
Diodes Zetex(捷特科)
MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
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