STW57N65M5

￥ 9.117

STW57N65M5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STW57N65M5 数据手册 (17 页)

或点击图片查看大图

STW57N65M5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.056 Ω

极性

N-CH

功耗

250 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

42A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

4200pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

250 W

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250W (Tc)

STW57N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

150℃ (TJ)

STW57N65M5 符合标准

STW57N65M5 概述

STW57N65M5 数据手册

STW57N65M5 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.99 MByte

STW57N65M5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

23 页 / 1.4 MByte

STW57N65M5 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STW57N65 数据手册

STW57N65M5-4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STW57N65M5 数据手册

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N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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