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STD3NK50ZT4
0.368
STD3NK50ZT4 数据手册 (14 页)
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STD3NK50ZT4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
2.30 A
封装
TO-252-3
漏源极电阻
2.80 Ω
极性
N-Channel
功耗
45 W
输入电容
280 pF
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.30 A
上升时间
13 ns
输入电容值(Ciss)
280pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
45 W
下降时间
14 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
45W (Tc)

STD3NK50ZT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STD3NK50ZT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.46 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.49 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STD3NK50 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD3NK50Z-1  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V - 2.8ohm - 2.3A TO- 92 / DPAK / IPAK齐纳保护的超网MOSFET N-CHANNEL 500V - 2.8ohm - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET
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