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STD47N10F7AG 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 4.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD47N10F7AG 数据手册 (17 页)

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STD47N10F7AG 数据手册 (17 页)

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STD47N10F7AG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

18 mΩ

功耗

60 W

阈值电压

2.5 V

输入电容

1640 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

1640pF @50V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

60W (Tc)

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STD47N10F7AG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STD47N10F7AG 符合标准

STD47N10F7AG 海关信息

STD47N10F7AG 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.63 MByte

STD47N10F7AG 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

47 页 / 1.5 MByte

STD47N10F7AG 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.77 MByte

STD47N10F7AG 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

STD47N10F7 数据手册

STD47N10F7AG 数据手册

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晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 4.5 V

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