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STN3P6F6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STN3P6F6 数据手册 (13 页)

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STN3P6F6 数据手册 (13 页)

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STN3P6F6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

TO-261-4

通道数

1 Channel

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.13 Ω

极性

P-Channel

功耗

2.6 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

5.3 ns

输入电容值(Ciss)

340pF @48V(Vds)

额定功率(Max)

2.6 W

下降时间

3.7 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.6W (Tc)

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STN3P6F6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.7 mm

宽度

3.7 mm

高度

1.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STN3P6F6 符合标准

STN3P6F6 海关信息

STN3P6F6 概述