￥ 1.601

STD65N55F3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

STMICROELECTRONICS STD65N55F3 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 55 V, 6.5 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD65N55F3 数据手册 (13 页)

封装尺寸在9 页 10 页

STD65N55F3 数据手册 (13 页)

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STD65N55F3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

6.5 Ω

极性

N-Channel

功耗

110 W

阈值电压

4 V

输入电容

2200 pF

漏源极电压(Vds)

55 V

漏源击穿电压

55.0 V

连续漏极电流(Ids)

56.0 A, 80.0 A

上升时间

50 ns

输入电容值(Ciss)

2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

下降时间

11.5 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

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STD65N55F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STD65N55F3 符合标准

STD65N55F3 概述