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器件3D模型
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STGD8NC60KDT4 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
IGBT晶体管
封装:
TO-252-3
描述:
STGD8NC60KD 系列 600 V 8 A 表面贴装 耐短路 IGBT - TO-252
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STGD8NC60KDT4 数据手册 (18 页)
封装尺寸
在
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11 页
12 页
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STGD8NC60KDT4 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
功耗
62 W
输入电容
380 pF
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
热阻
62.5 ℃/W
反向恢复时间
23.5 ns
额定功率(Max)
62 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
62000 mW
查看数据手册 >
STGD8NC60KDT4 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STGD8NC60KDT4 符合标准
STGD8NC60KDT4 海关信息
STGD8NC60KDT4 概述
●
IGBT - 表面贴装型 DPAK
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