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STGP19NC60KD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

STGP19NC60KD 系列 N沟道 600 V 22 A 超快 PowerMESH IGBT - TO-220

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGP19NC60KD 数据手册 (19 页)

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STGP19NC60KD 数据手册 (19 页)

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STGP19NC60KD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

功耗

125000 mW

输入电容

1170 pF

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

热阻

62.5 ℃/W

反向恢复时间

31 ns

额定功率(Max)

125 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125000 mW

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STGP19NC60KD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

宽度

4.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STGP19NC60KD 符合标准

STGP19NC60KD 海关信息

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