￥ 2.139

STGP30M65DF2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STGP30M65DF2 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-220, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGP30M65DF2 数据手册 (17 页)

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STGP30M65DF2 数据手册 (17 页)

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STGP30M65DF2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

功耗

258 W

击穿电压(集电极-发射极)

650 V

反向恢复时间

140 ns

额定功率(Max)

258 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

258 W

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STGP30M65DF2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

15.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STGP30M65DF2 符合标准

STGP30M65DF2 海关信息

STGP30M65DF2 概述

STGP30M65DF2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.38 MByte

STGP30M65DF2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.67 MByte

STGP30M65 数据手册

STGP30M65DF2 数据手册

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STMICROELECTRONICS STGP30M65DF2 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-220, 3 引脚

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