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STN3NF06L
0.294
STN3NF06L 数据手册 (12 页)
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STN3NF06L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
4.00 A
封装
TO-261-4
额定功率
3.3 W
通道数
1 Channel
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.07 Ω
极性
N-Channel
功耗
3.3 W
阈值电压
2.8 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±16.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.00 A
上升时间
25 ns
输入电容值(Ciss)
340pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.3 W
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.3W (Tc)

STN3NF06L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STN3NF06L 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.23 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 1.1 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.53 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.21 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

STN3NF06 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STN3NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 60 V, 0.07 ohm, 20 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STN3NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 V
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