STP10NK80Z

￥ 1.612

STP10NK80Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STP10NK80Z 数据手册 (11 页)

原理图在1 页

STP10NK80Z 数据手册 (11 页)

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STP10NK80Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

800 V

额定电流

9.00 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.78 Ω

极性

N-Channel

功耗

160 W

阈值电压

3.75 V

输入电容

2180 pF

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

9.00 A

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

2180pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

160 W

下降时间

17 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

190W (Tc)

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STP10NK80Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP10NK80Z 符合标准

STP10NK80Z 概述

STP10NK80Z 数据手册

STP10NK80Z 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

11 页 / 0.55 MByte

STP10NK80Z 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 2.6 MByte

STP10NK80Z 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.42 MByte

STP10NK80Z 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

4 页 / 0.01 MByte

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ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STP10NK80ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3.75 V

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N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STP10NK80Z_06 数据手册

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N沟道800V - 0.78ヘ - 9A - TO- 220 / FP- TO- 247齐纳保护superMESHTM MOSFET N-channel 800V - 0.78ヘ - 9A - TO-220/FP-TO-247 Zener-protected superMESHTM MOSFET

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