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STP12NM50N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道500 V， 0.29 Ω ， 11一个的MDmesh ？二功率MOSFET TO- 220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO- 220FP N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO-220FP

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP12NM50N 数据手册 (19 页)

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STP12NM50N 数据手册 (19 页)

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STP12NM50N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

11.0 A

封装

TO-220-3

漏源极电阻

290 mΩ

极性

N-Channel

功耗

100 W

输入电容

880 pF

栅电荷

30.0 nC

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

栅源击穿电压

±25.0 V

连续漏极电流(Ids)

11.0 A

上升时间

15 ns

隔离电压

2.50 kV

输入电容值(Ciss)

940pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

100 W

下降时间

14 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

100W (Tc)

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STP12NM50N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP12NM50N 符合标准