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STP20NF20
1.423
STP20NF20 数据手册 (15 页)
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STP20NF20 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
18.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.125 Ω
极性
N-Channel
功耗
90 W
阈值电压
3 V
输入电容
940 pF
栅电荷
28.0 nC
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
连续漏极电流(Ids)
18.0 A
上升时间
30 ns
输入电容值(Ciss)
940pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
90 W
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
110W (Tc)

STP20NF20 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
15.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP20NF20 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.88 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.73 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
3 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.16 MByte

STP20 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP20NM60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 290 mohm, 30 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP20NM60FP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 250 mohm, 30 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP20NM60FD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 290 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP20NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 60V - 0.06欧姆 - 20A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP20NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP20NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 60 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP20NK50Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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