￥ 3.191

STP20NM60FD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STP20NM60FD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 290 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP20NM60FD 数据手册 (15 页)

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STP20NM60FD 数据手册 (15 页)

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STP20NM60FD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

20.0 A

封装

TO-220-3

额定功率

45 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

290 mΩ

极性

N-Channel

功耗

192 W

阈值电压

4 V

输入电容

1.30 nF

栅电荷

37.0 nC

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

20.0 A

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

1300pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

192 W

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

192W (Tc)

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STP20NM60FD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP20NM60FD 符合标准

STP20NM60FD 概述