￥ 2.945

STP36N60M6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

封装:

TO-220

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STP36N60M6 数据手册

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STP36N60M6 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-220

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.085 Ω

功耗

208 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

5.3 ns

输入电容值(Ciss)

1960pF @100V(Vds)

下降时间

7.3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

208000 mW

STP36N60M6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

STP36N60M6 符合标准

STP36N60M6 概述

STP36N60M6 数据手册

STP36N60M6 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.4 MByte

STP36N60M6 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.11 MByte

STP36N60 数据手册

STP36N60M6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V

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