STP4NK80Z

￥ 0.298

STP4NK80Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STP4NK80Z. 场效应管, MOSFET, N沟道, 800V, 3A, TO-220

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STP4NK80Z 数据手册 (18 页)

封装尺寸在11 页 12 页 13 页 14 页 15 页

STP4NK80Z 数据手册 (18 页)

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STP4NK80Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

800 V

额定电流

3.00 A

封装

TO-220-3

额定功率

80 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

3 Ω

极性

N-Channel

功耗

80 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.00 A

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

575pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

80 W

下降时间

32 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

80000 mW

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STP4NK80Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP4NK80Z 符合标准

STP4NK80Z 概述

STP4NK80Z 数据手册

STP4NK80Z 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.53 MByte

STP4NK80Z 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

28 页 / 1.03 MByte

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