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STP55NF06
0.28
STP55NF06 数据手册 (12 页)
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STP55NF06 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
50.0 A
封装
TO-220-3
额定功率
110 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.015 Ω
极性
N-Channel
功耗
30 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
50.0 A
上升时间
50 ns
输入电容值(Ciss)
1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
110 W
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
110W (Tc)

STP55NF06 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

STP55NF06 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.39 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 2.6 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 0.75 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.01 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.47 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.16 MByte

STP55 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP55NF06L..  场效应管, MOSFET, N沟道
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP55NF06FP  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 18 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.01欧姆 - 55A TO- 220 / D2PAK / I2PAK的STripFET ?二功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.01 ohm - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET? II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
n沟道增强模式低阈值功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.014ヘ - 55A TO- 220 / D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.014ヘ - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.014ohm - 55A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK STripFET⑩II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET
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