￥ 0.672

STP6N80K5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N-沟道 800 V 4.5 A 1.6 Ohm MDmesh™ K5 功率 MosFet -TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STP6N80K5 数据手册 (17 页)

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STP6N80K5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.6 Ω

极性

N-CH

功耗

85 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

连续漏极电流(Ids)

4.5A

上升时间

7.5 ns

输入电容值(Ciss)

255pF @100V(Vds)

下降时间

16 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

85W (Tc)

STP6N80K5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STP6N80K5 符合标准

STP6N80K5 概述

STP6N80K5 数据手册

STP6N80K5 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.18 MByte

STP6N80K5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

26 页 / 1.25 MByte

STP6N80K5 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STP6N80 数据手册

STP6N80K5 数据手册

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N-沟道 800 V 4.5 A 1.6 Ohm MDmesh™ K5 功率 MosFet -TO-220-3

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