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STP75N3LLH6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道30 V ， 0.0042 I© ， 75 A， DPAK ， TO- 220 ， IPAK ，短IPAK N-channel 30 V, 0.0042 Î©, 75 A, DPAK, TO-220, IPAK, Short IPAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STP75N3LLH6 数据手册 (21 页)

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STP75N3LLH6 数据手册 (21 页)

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STP75N3LLH6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

极性

N-CH

功耗

60 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

75A

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

2030pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

60 W

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

60W (Tc)

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STP75N3LLH6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STP75N3LLH6 符合标准

STP75N3LLH6 数据手册

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21 页 / 1.08 MByte

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