STP80NF55L-06

￥ 1.183

STP80NF55L-06 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STP80NF55L-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP80NF55L-06 数据手册 (10 页)

原理图在1 页

STP80NF55L-06 数据手册 (10 页)

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STP80NF55L-06 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

55.0 V

额定电流

80.0 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.008 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

55 V

漏源击穿电压

55.0 V

栅源击穿电压

±16.0 V

连续漏极电流(Ids)

80.0 A

上升时间

180 ns

输入电容值(Ciss)

4850pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

80 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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STP80NF55L-06 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

15.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STP80NF55L-06 符合标准

STP80NF55L-06 概述

STP80NF55L-06 数据手册

STP80NF55L-06 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

10 页 / 0.38 MByte

STP80NF55L-06 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 2.6 MByte

STP80NF55L-06 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.04 MByte

STP80NF55L-06 其他参考文件

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