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STP80NF55L-08 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道55V - 0.0065ohm - 80A - TO- 220 / D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A - TO-220/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP80NF55L-08 数据手册 (8 页)

原理图在1 页

STP80NF55L-08 数据手册 (8 页)

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STP80NF55L-08 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

漏源极电阻

8.00 mΩ

极性

N-Channel

功耗

300 W

漏源击穿电压

55.0 V

栅源击穿电压

±16.0 V

连续漏极电流(Ids)

80.0 A

上升时间

145 ns

下降时间

65 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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STP80NF55L-08 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

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STP80NF55L-08 符合标准

STP80NF55L-08 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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