￥ 3.859

STP8NM60FP 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道650V TJMAX - 0.9ohm -8A TO- 220 / FP / D / IPAK / D2PAK的STripFET II MOSFET N-CHANNEL 650V Tjmax-0.9ohm-8A TO-220/FP/D/IPAK/D2PAK STripFET II MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP8NM60FP 数据手册 (18 页)

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STP8NM60FP 数据手册 (18 页)

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STP8NM60FP 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

650 V

额定电流

8.00 A

封装

TO-220-3

漏源极电阻

1.00 Ω

极性

N-Channel

功耗

30W (Tc)

漏源极电压(Vds)

650 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

8.00 A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

400pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

30 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

30W (Tc)

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STP8NM60FP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP8NM60FP 符合标准

STP8NM60FP 概述