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STP8NM60D 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道600V - 0.9ヘ - 8A - TO- 220 / D2PAK快速二极管MDmesh⑩功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.9ヘ - 8A - TO-220/D2PAK Fast Diode MDmesh⑩ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP8NM60D 数据手册 (13 页)

封装尺寸在8 页 9 页 10 页

STP8NM60D 数据手册 (13 页)

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STP8NM60D 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

极性

N-CH

功耗

100 W

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

380pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

100 W

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

100W (Tc)

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STP8NM60D 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP8NM60D 符合标准

STP8NM60D 海关信息

STP8NM60D 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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