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STP8NM60
1.37
STP8NM60 数据手册 (18 页)
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STP8NM60 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
650 V
额定电流
8.00 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
900 mΩ
极性
N-Channel
功耗
100 W
阈值电压
4 V
输入电容
400 pF
栅电荷
18.0 nC
漏源极电压(Vds)
650 V
漏源击穿电压
600 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
8.00 A
上升时间
10.0 ns
输入电容值(Ciss)
400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
100 W
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
100W (Tc)

STP8NM60 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STP8NM60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.54 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.12 MByte

STP8 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF55-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF55-08  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF55L-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道68 V, 0.0082 I© , 98 , TO- 220 STripFETâ ?? ¢ II功率MOSFET N-channel 68 V, 0.0082 Ω, 98 A, TO-220 STripFET™ II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP8NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 0.73 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF55-06FP  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP8NK80ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP80NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
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