Datasheet 搜索 > ST Microelectronics（意法半导体） > STPS20L60CG 数据手册 > STPS20L60CG 数据手册 3/10 页
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STPS20L60CG 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
封装:
TO-263
描述:
功率肖特基整流器 POWER SCHOTTKY RECTIFIER
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
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STPS20L60CG数据手册
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DocID6427 Rev 4 3/10
STPS20L60C Characteristics
10
Figure 1. Average forward power dissipation
versus average forward current (per diode)
Figure 2. Average current versus ambient
temperature (
= 0.5) (per diode)
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
0
1
2
3
4
5
6
7
8
PF(av)(W)
IF(av) (A)
T
δ
=tp/T
tp
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
12
IF(av)(A)
T
δ
=tp/T
tp
Tamb(°C)
Rth(j-a)=15°C/W
Rth(j-a)=Rth(j-c)
Figure 3. Normalized avalanche power derating
versus pulse duration
Figure 4. Normalized avalanche power derating
versus junction temperature
0.001
0.01
0.10.01 1
0.1
10 100 1000
1
t (µs)
p
P(t
p
)
P (1 µs)
ARM
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25 50 75 100 125 150
T (°C)
j
P(T
j
)
P (25 °C)
ARM
ARM
Figure 5. Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration (maximum
values, per diode)
Figure 6. Relative variation of thermal transient
impedance junction to case versus pulse
duration
1E-3 1E-2 1E-1 1E+0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
IM(A)
t(s)
IM
t
δ=0.5
Tc=25°C
Tc=75°C
Tc=100°C
1E-4 1E-3 1E-2 1E-1 1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Zth(j-c)/Rth(j-c)
tp(s)
T
δ
=tp/T
tp
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
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