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器件3D模型￥ 2.688
STRVS280X02F 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
TVS二极管
封装:
DO-201
描述:
STMicroelectronics### 瞬态电压抑制器，STMicroelectronics
Pictures:
3D模型
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引脚图
产品图
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STRVS280X02F数据手册
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DocID023950 Rev 4 5/14
STRVSX Characteristics
14
Figure 10. Clamping voltage versus peak pulse
current - STRVS252X02F
Figure 11. Clamping voltage versus peak pulse
current - STRVS280X02F
0
2
4
6
8
10
200 210 220 230 240 250 260 270 280
I
PP
(A), T
J
= 25 °C, ,85 °C 125 °C
V
CL
(V)
0
2
4
6
8
10
220 230 240 250 260 270 280 290 300 310
I
PP
(A), T
J
= 25 °C, ,85 °C 125 °C
V
CL
(V)
Figure 12. Leakage current versus junction
temperature (typical values) STRVSxxxC
Figure 13. Leakage current versus junction
temperature (typical values) STRVSxxxF
0,1
1
10
100
1000
10000
25 50 75 100 125 150
V
R
=V
RM
I
R
(nA)
T
j
(°C)
0,1
1
10
100
1000
10000
25 50 75 100 125 150 175
V
R
=V
RM
I
R
(nA)
T
j
(°C)
Figure 14. Leakage current versus junction
temperature (typical values) STRVSxxxB
Figure 15. Leakage current versus junction
temperature (typical values) STRVSxxxE
0,1
1
10
100
1000
10000
25 50 75 100 125 150
V
R
=V
RM
I
R
(nA)
T
j
(°C)
0,1
1
10
100
1000
10000
25 50 75 100 125 150 175
V
R
=V
RM
I
R
(nA)
T
j
(°C)
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