Datasheet 搜索 > TVS二极管 > ST Microelectronics（意法半导体） > STTH302 数据手册 > STTH302 数据手册 2/5 页
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STTH302 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
TVS二极管
封装:
DO-201AD
描述:
1A 至 3A，STMicroelectronics### 二极管和整流器，STMicroelectronics
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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STTH302数据手册
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STTH302
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Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit
I
R
*
Reverse leakage current T
j
= 25°C V
R
=V
RRM
3 µA
T
j
= 125°C
475
V
F
**
Forward voltage drop T
j
= 25°C I
F
=3A
0.95 V
T
j
= 125°C
0.66 0.75
Pulse test:*tp=5ms,δ<2%
** tp = 380 µs, δ <2%
To evaluate the maximum conduction losses use the following equations:
P=0.60xI
F(AV)
+ 0.05 I
F
2
(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit
trr Reverse recovery
time
I
F
=1A dI
F
/dt = - 50A/µs
V
R
= 30V
T
j
= 25°C
35 ns
tfr Forward recovery
time
I
F
=3A dI
F
/dt = 50A/µs
V
FR
=1.1xV
F
max
T
j
= 25°C
70 ns
V
FP
Forward recovery
voltage
T
j
= 25°C
1.6 V
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
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