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STTH812DI
0.77
STTH812DI 数据手册 (11 页)
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STTH812DI 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
1.20 kV
额定电流
8.00 A
电容
7.00 pF
封装
TO-220-2
输出电流
≤8.00 A
正向电压
2.2V @8A
极性
Standard
热阻
3.1 ℃/W
反向恢复时间
50 ns
正向电流
8 A
最大正向浪涌电流
80 A
正向电压(Max)
1.25 V
正向电流(Max)
8 A
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
工作结温
175℃ (Max)
工作结温(Max)
175 ℃

STTH812DI 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.3 mm
工作温度
-65℃ ~ 175℃

STTH812DI 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
11 页 / 0.13 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 4.2 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.12 MByte

STTH812 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
超快恢复 - 1200 V二极管 Ultrafast recovery - 1200 V diode
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STTH812D  快速/超快功率二极管, 单, 1.2 kV, 8 A, 1.25 V, 50 ns, 80 A
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STTH812G-TR  快速/超快功率二极管, 单, 1.2 kV, 8 A, 2 V, 100 ns, 80 A
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STTH812FP  快速/超快二极管, 单, 1.2 kV, 8 A, 1.25 V, 50 ns, 80 A
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STTH812DI  快速/超快二极管, 单, 1.2 kV, 8 A, 1.25 V, 50 ns, 80 A
ST Microelectronics(意法半导体)
超快恢复 - 1200 V二极管 Ultrafast recovery - 1200 V diode
ST Microelectronics(意法半导体)
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