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STW20NB50
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STW20NB50 数据手册 (8 页)
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STW20NB50 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
500 V
额定电流
20.0 A
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
250 mΩ
极性
N-CH
功耗
250 W
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
连续漏极电流(Ids)
20.0 A
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
4700pF @25V(Vds)
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
65 ℃
耗散功率(Max)
250W (Tc)

STW20NB50 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
高度
20.15 mm
工作温度
150℃ (TJ)

STW20NB50 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.27 MByte

STW20 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STW20NM60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STW20NM50FD  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STW20NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A - TO- 247 MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A - TO-247 PowerMESH MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 900 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道700V - 0.25W - 20A TO- 247齐纳保护超网TM功率MOSFET N-CHANNEL 700V - 0.25W - 20A TO-247 Zener-Protected SuperMESH TM Power MOSFET
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