￥ 1.759

STW20NK70Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N沟道700V - 0.25W - 20A TO- 247齐纳保护超网TM功率MOSFET N-CHANNEL 700V - 0.25W - 20A TO-247 Zener-Protected SuperMESH TM Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STW20NK70Z 数据手册 (9 页)

原理图在1 页

STW20NK70Z 数据手册 (9 页)

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STW20NK70Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

700 V

额定电流

20.0 A

封装

TO-247-3

漏源极电阻

0.285 Ω

极性

N-Channel

功耗

350 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

700 V

漏源击穿电压

700 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

20.0 A

上升时间

33 ns

输入电容值(Ciss)

6000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

350 W

下降时间

38 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350W (Tc)

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STW20NK70Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STW20NK70Z 符合标准

STW20NK70Z 概述